NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CP-DII от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5CC256M16CP-DII | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,30 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Корпус | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Количество выводов | — | 96 |