NT5CC256M16CP-DII vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-DII von Nanya Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16CP-DII | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Datenrate | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montageart | — | Surface Mount |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |