STB60NF06T4 vs IRF1010ESTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de STB60NF06T4 por STMicroelectronics e IRF1010ESTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro STB60NF06T4 IRF1010ESTRLPBF
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,80 $0,00
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 60 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 240 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Charge (Qg) 60 nC (typ) —
Input Capacitance (Ciss) 2200 pF (typ) —
Output Capacitance (Coss) 350 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 120 pF (typ) —
Avalanche Energy (EAS) 300 mJ —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET planar
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Operating Mode — Enhancement
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

Fichas técnicas e recursos

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