STB60NF06T4 vs IRF1010ESTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STB60NF06T4 par STMicroelectronics et IRF1010ESTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre STB60NF06T4 IRF1010ESTRLPBF
Marque STMicroelectronics Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,80 $0,00
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 60 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 240 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Charge (Qg) 60 nC (typ) —
Input Capacitance (Ciss) 2200 pF (typ) —
Output Capacitance (Coss) 350 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 120 pF (typ) —
Avalanche Energy (EAS) 300 mJ —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Sans halogène Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET planar
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Operating Mode — Enhancement
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

Fiches techniques et ressources

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