STB60NF06T4 vs IRF1010ESTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STB60NF06T4 von STMicroelectronics und IRF1010ESTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter STB60NF06T4 IRF1010ESTRLPBF
Marke STMicroelectronics Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,80 $0,00
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 60 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 240 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Charge (Qg) 60 nC (typ) —
Input Capacitance (Ciss) 2200 pF (typ) —
Output Capacitance (Coss) 350 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 120 pF (typ) —
Avalanche Energy (EAS) 300 mJ —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C —
Gehäuse D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
Halogenfrei Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET planar
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Operating Mode — Enhancement
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

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