STS7DNH3LL vs BSC0901NSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de STS7DNH3LL por STMicroelectronics e BSC0901NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
STMicroelectronics
STS7DNH3LL - Dual N-Channel 30V MOSFET, 0.018Ω, 7A | STMicroelectronics
STS7DNH3LL ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | STS7DNH3LL | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,41 | $0,78 |
| Manufacturer | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| Product Type | Dual N-Channel Power MOSFET | — |
| Technology | STripFET III (trench gate) | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 7 A per channel | — |
| On-Resistance RDS(on) typ. | 0.018 Ω at VGS = 10 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Encapsulamento | SO-8 | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Power Dissipation (per channel) | [DATA_NEEDED: PD per channel] | — |
| Channel Count | 2 (Dual) | — |
| Channel Polarity | N-Channel | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |