1EDN7550BXTSA1 vs 2EDN7524GXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7550BXTSA1 от Infineon и 2EDN7524GXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7550BXTSA1 2EDN7524GXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,59 $0,82
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Рабочая температура перехода -40 °C to +150 °C —
Корпус PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Product Type — Low-side gate driver IC
Number of Channels — 2 (dual)
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Input Voltage Tolerance — -10 V to +20 V on logic pins
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
Время нарастания — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Время спада — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену