2N7002L vs 2N7002LT1G Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2N7002L от onsemi и 2N7002LT1G от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

onsemi
2N7002L 2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L ✓ Активен
onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2N7002L 2N7002LT1G
Бренд onsemi onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,03 $0,02
Тип транзистора N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V —
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET MOSFET
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус SOT-23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi onsemi (ON Semiconductor)
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Количество выводов — 3
Категория — Small Signal MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену