AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок AS4C256M16D3L-12BCN от Alliance Memory и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,00 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Разрядность шины данных | 16 bit | — |
| Максимальная тактовая частота | 800 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Задержка CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Корпус | 96-FBGA (9x13 mm) | FBGA-96 |
| Способ монтажа | SMD/SMT | — |
| Диапазон рабочих температур | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Тип интерфейса | Parallel | — |
| Количество выводов | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |