AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細な並列比較: AS4C256M16D3L-12BCN メーカー: Alliance Memory および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AS4C256M16D3L-12BCN K4B4G1646E-BYMA
ブランド Alliance Memory Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.00 $14.32
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
データバス幅 16 bit —
最大クロック周波数 800 MHz —
データレート 1600 Mbps 1866 Mbps/pin
CASレイテンシ 20 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
電源電圧 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
パッケージ 96-FBGA (9x13 mm) FBGA-96
実装スタイル SMD/SMT —
動作温度範囲 0C to +95C (Tc) —
RoHS Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
インターフェースタイプ Parallel —
ピン数 96 96
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
動作温度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
実装タイプ — Surface Mount
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]

データシート&リソース

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