AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de AS4C256M16D3L-12BCN por Alliance Memory e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,00 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largura do barramento de dados | 16 bit | — |
| Frequência máxima de clock | 800 MHz | — |
| Taxa de dados | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Latência CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Encapsulamento | 96-FBGA (9x13 mm) | FBGA-96 |
| Estilo de montagem | SMD/SMT | — |
| Faixa de temperatura de operação | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Tipo de interface | Parallel | — |
| Número de pinos | 96 | 96 |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |