BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N10NS5ATMA1 от Infineon и BSC146N10LS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N10NS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,10 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 5 (logic-level)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 214 W 52 W
Корпус PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +150 C (TJ max)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 44 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 14.6 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (typ. ~1.7 V)
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену