BSC097N06NSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC097N06NSATMA1 от Infineon и BSZ017NE2LS5IATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC097N06NSATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,64
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C -55°C to +150°C
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (Unlimited) —
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (TA) — 27 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V — 1.7 mΩ
On-Resistance Test Current — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Rating — ±16 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V @ 250 µA
Total Gate Charge Qg — 30 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 2000 pF @ VDS=12V
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 50 W
Корпус — PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN)
Series / Family — OptiMOS 5 25V

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену