BSS316NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS316NH6327XTSA1 от Infineon и BSS308PEH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS316NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,13 $0,11
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Диапазон рабочей температуры перехода -55 C to +150 C —
Корпус PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
Уровень MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Тип транзистора — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C
Корпус / Типоразмер — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Количество выводов — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену