BSS316NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS316NH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS308PEH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSS316NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.13 $0.11
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
동작 접합 온도 범위 -55 C to +150 C —
패키지 PG-SOT23 (SOT-23-3) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
MSL 레벨 MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
트랜지스터 유형 — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
동작 온도 범위 — -55 °C to +150 °C
패키지 / 케이스 — PG-SOT23 (SOT-23-3)
핀 수 — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

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