BSZ340N08NS3GATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ340N08NS3GATMA1 от Infineon и BSC340N08NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3GATMA1 - 80V 23A OptiMOS 3 | Infineon

BSZ340N08NS3GATMA1 - 80V 23A OptiMOS 3 | Infineon

BSZ340N08NS3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,81
Channel Type N-channel Single N-Channel
Drain-Source Voltage VDS 80 V maximum —
Continuous Drain Current ID 6 A at Ta; 23 A at Tc —
RDS(on) 34 mOhm maximum at VGS = 10 V, ID = 12 A —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Пороговое напряжение затвора 3.5 V at 12 uA —
Total Gate Charge Qg 9.1 nC at 10 V —
Output Capacitance Coss 630 pF at 40 V —
Power Dissipation at Ta 2.1 W —
Power Dissipation at Tc 32 W —
Junction Temperature Range -55C to +150C —
Корпус PG-TSDSON-8, 3.3 x 3.3 mm PQFN family package PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface mount Surface Mount
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Статус RoHS RoHS compliant —
Automotive Qualification [DATA_NEEDED: automotive qualification status] —
Lead-Free Status [DATA_NEEDED: lead-free status] —
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH status] —
Pinout [DATA_NEEDED: complete manufacturer pin mapping] —
Safe Operating Area [DATA_NEEDED: safe operating area graph] —
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Уровень MSL — 1
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену