DMC2400UV-7 vs FDD8424H Сравнение

Подробное сравнение бок о бок DMC2400UV-7 от Diodes Incorporated и FDD8424H от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Diodes Incorporated
DMC2400UV-7 DMC2400UV-7 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Diodes Inc

DMC2400UV-7 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Diodes Inc

DMC2400UV-7 ✓ Активен
onsemi
FDD8424H FDD8424H - 40V Dual N&P-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8424H - 40V Dual N&P-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8424H ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр DMC2400UV-7 FDD8424H
Бренд Diodes Incorporated onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,14 $0,39
FET Type N and P-Channel Complementary Pair —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (N-Ch) @ 25C 1.03 A —
Continuous Drain Current (P-Ch) @ 25C 700 mA —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V, Id=200mA 480 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) <1 V (low threshold) —
Total Package Power Dissipation 450 mW —
Входная ёмкость Low (per datasheet) —
Switching Speed Fast —
Input/Output Leakage Low —
Рабочая температура перехода -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус SOT-563 —
Configuration Complementary Pair (N + P) N-Channel and P-Channel, independent dice
Статус RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Product Type — Dual N-Channel and P-Channel MOSFET
Process Technology — PowerTrench (advanced trench-gate)
Package Type — TO-252 (DPAK), surface mount
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 40 V
N-Channel Continuous Drain Current — 20 A
N-Channel RDS(on) max at VGS=10V — 24 mΩ
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -40 V
P-Channel Continuous Drain Current — -20 A
P-Channel RDS(on) max at VGS=-10V — 54 mΩ
Gate Charge N-Ch (Qg) typ at VGS=10V — 20 nC
Input Capacitance Ciss max — 1000 pF
Total Power Dissipation (Pd) — 1.3 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Без галогенов — Compliant per GlobalSpec listing
ECCN — EAR99

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену