DMC2400UV-7 vs FDD8424H 비교

다음의 상세 나란히 비교: DMC2400UV-7 제조: Diodes Incorporated 및 FDD8424H 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Diodes Incorporated
DMC2400UV-7 DMC2400UV-7 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Diodes Inc

DMC2400UV-7 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Diodes Inc

DMC2400UV-7 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 DMC2400UV-7 FDD8424H
브랜드 Diodes Incorporated onsemi
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.14 $0.39
FET Type N and P-Channel Complementary Pair —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (N-Ch) @ 25C 1.03 A —
Continuous Drain Current (P-Ch) @ 25C 700 mA —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V, Id=200mA 480 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) <1 V (low threshold) —
Total Package Power Dissipation 450 mW —
입력 커패시턴스 Low (per datasheet) —
Switching Speed Fast —
Input/Output Leakage Low —
동작 접합 온도 -55C to +150C -55 °C to +150 °C
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
패키지 SOT-563 —
Configuration Complementary Pair (N + P) N-Channel and P-Channel, independent dice
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Product Type — Dual N-Channel and P-Channel MOSFET
Process Technology — PowerTrench (advanced trench-gate)
Package Type — TO-252 (DPAK), surface mount
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 40 V
N-Channel Continuous Drain Current — 20 A
N-Channel RDS(on) max at VGS=10V — 24 mΩ
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -40 V
P-Channel Continuous Drain Current — -20 A
P-Channel RDS(on) max at VGS=-10V — 54 mΩ
Gate Charge N-Ch (Qg) typ at VGS=10V — 20 nC
Input Capacitance Ciss max — 1000 pF
Total Power Dissipation (Pd) — 1.3 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
할로겐 프리 — Compliant per GlobalSpec listing
ECCN — EAR99

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