EP3SE260F1152C3N vs EP3SE260F1152C4N Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EP3SE260F1152C3N от Intel и EP3SE260F1152C4N от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр EP3SE260F1152C3N EP3SE260F1152C4N
Бренд Intel Intel
Категория FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7.500,00 $1.620,00
Series Stratix III E Stratix III E
Logic Elements / Cells 255,000 —
Embedded Memory Bits 16,672,768 bits —
Logic Array Blocks (LABs) 10,200 —
User I/O Count 744 —
Корпус 1152-BBGA, FCBGA 1152-ball FC-FBGA (flip-chip)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 65 nm 65 nm CMOS
Core Voltage 1.1 V 1.1 V
Рабочая температура 0 C to +85 C (Commercial) 0C to +85C (commercial, 'C' suffix)
Transceivers Integrated high-speed transceivers —
DSP Blocks Yes (dedicated multiplier/accumulator) —
Embedded Memory Type TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM) —
External Memory Support DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II —
Configuration Modes AS, AP, PS, FPP, JTAG —
Partial Reconfiguration Supported —
Programmable Power Technology Yes (up to 50% dynamic power reduction) —
Статус RoHS Compliant —
Family — Stratix III (Enhanced)
Logic Elements (LEs) — 255,000
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
Maximum User I/Os — 744
Number of LABs/CLBs — 10,200
DSP / 18x18 Multipliers — 768 embedded multipliers
Maximum Operating Frequency — 450 MHz
Speed Grade — -4 (commercial temperature)
Packaging — Tray
Lead-Free / RoHS — Lead-free finish (RoHS compliant per distributor listing)
Тип памяти — SRAM-based, volatile (requires configuration device)
Configuration — External EPCS / enhanced configuration via AS, PS, JTAG, or FPP
Product Status — Obsolete (per Xecor cross-reference data)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену