EP3SE260F1152C4N vs EP3SE260F1152I4LN Сравнение
Подробное сравнение бок о бок EP3SE260F1152C4N от Intel и EP3SE260F1152I4LN от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | EP3SE260F1152C4N | EP3SE260F1152I4LN |
|---|---|---|
| Бренд | Intel | Intel |
| Категория | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Статус жизненного цикла | Obsolete | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1.620,00 | $3.520,00 |
| Series | Stratix III E | Stratix III |
| Family | Stratix III (Enhanced) | Stratix III E |
| Logic Elements (LEs) | 255,000 | — |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) | — |
| Maximum User I/Os | 744 | — |
| Number of LABs/CLBs | 10,200 | — |
| DSP / 18x18 Multipliers | 768 embedded multipliers | — |
| Process Technology | 65 nm CMOS | — |
| Core Voltage | 1.1 V | 0.9 V (supports 1.05-1.15 V variant) |
| Maximum Operating Frequency | 450 MHz | — |
| Корпус | 1152-ball FC-FBGA (flip-chip) | FCBGA-1152 (1517-ball) |
| Speed Grade | -4 (commercial temperature) | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C (commercial, 'C' suffix) | -40 C to +100 C (Industrial) |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free finish (RoHS compliant per distributor listing) | — |
| Тип памяти | SRAM-based, volatile (requires configuration device) | — |
| Configuration | External EPCS / enhanced configuration via AS, PS, JTAG, or FPP | — |
| Product Status | Obsolete (per Xecor cross-reference data) | — |
| Process Node | — | 65 nm CMOS |
| Logic Elements (LE) | — | 255,000 |
| Logic Array Blocks (LAB) | — | 10,200 |
| Embedded Memory Bits | — | 16,672,640 |
| User I/Os | — | 744 |
| Package Dimensions | — | 35 x 35 mm |
| Operating Frequency | — | Up to 717 MHz |
| Supply Voltage Range | — | 0.9 V core, 1.05 V-1.15 V supported |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Design Tool | — | Quartus II |