EP3SE260H780C3N vs EP3SE260F1152C3N Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EP3SE260H780C3N от Intel и EP3SE260F1152C3N от Intel. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр EP3SE260H780C3N EP3SE260F1152C3N
Бренд Intel Intel
Категория FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1.325,00 $7.500,00
Series Stratix® III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 255,000 —
Embedded Memory (bits) 16,672,768 —
Number of LABs/CLBs 10,200 —
User I/Os 488 —
Number of Pins / Balls 780 —
Корпус 780-BBGA, FCBGA (H780) 1152-BBGA, FCBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура 0 °C to +85 °C (C grade, commercial) 0 C to +85 C (Commercial)
Process Technology 40 nm CMOS 65 nm
Maximum Core Frequency [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz] —
Supply Voltage (VCCINT) [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate] Integrated high-speed transceivers
DSP Blocks [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision] Yes (dedicated multiplier/accumulator)
Статус RoHS Compliant (lead-free 'N' suffix) Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] —
Configuration Method SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel —
Design Toolchain Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime —
Logic Elements / Cells — 255,000
Embedded Memory Bits — 16,672,768 bits
Logic Array Blocks (LABs) — 10,200
User I/O Count — 744
Core Voltage — 1.1 V
Embedded Memory Type — TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM)
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II
Configuration Modes — AS, AP, PS, FPP, JTAG
Partial Reconfiguration — Supported
Programmable Power Technology — Yes (up to 50% dynamic power reduction)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену