H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-VKIR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-VKIR
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,25 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Корпус FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (-UHI suffix) —
Скорость передачи данных 2400 MT/s 2666 Mbps per pin
Интерфейс JEDEC DDR4 SDRAM —
Bank Architecture DDR4 bank group architecture —
Refresh Self-refresh and auto-refresh support [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Termination On-die termination (ODT) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Technology — CMOS DRAM
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену