H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-UHI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-UHI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,98 $2,25
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2666 Mbps per pin 2400 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Корпус 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) —
Technology CMOS DRAM —
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] Self-refresh and auto-refresh support
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Grade — Industrial (-UHI suffix)
Интерфейс — JEDEC DDR4 SDRAM
Bank Architecture — DDR4 bank group architecture
Termination — On-die termination (ODT)
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену