H5AN8G8NDJR-XNC vs MT40A1G8SA-062E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NDJR-XNC от SK hynix и MT40A1G8SA-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NDJR-XNC | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $24,50 | $6,05 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| Корпус | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | 1.6 GHz |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Организация памяти | — | 1G x 8 |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| Рабочая температура | — | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| Особенности | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |