IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L005ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N037GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L005ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,85 $0,89
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (Tj) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Корпус PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Число выводов 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену