IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7L005ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N037GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L005ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.85 $0.89
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
動作温度範囲 -55°C to +175°C (Tj) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
パッケージ PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
ピン数 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

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