IAUTN04S7N004ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUTN04S7N004ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L042GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUTN04S7N004ATMA1 IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 - 40V 0.38mΩ 350A OptiMOS 7 | Infineon

IAUTN04S7N004ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUTN04S7N004ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,05 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 40V
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C [DATA_NEEDED: ID at TC=25C] —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 350 A —
On-Resistance RDS(on) max 0.38 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 255 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C -55C to +175C (Tj)
Корпус PG-HSOF-8-8 (TOLL 10x12) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Qualification AEC-Q101 Automotive —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity N-Channel —
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Уровень MSL — 1
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену