IKD15N60RFATMA1 vs IPL60R285P7AUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IKD15N60RFATMA1 от Infineon и IPL60R285P7AUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IKD15N60RFATMA1 IPL60R285P7AUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория IGBTs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,35 $0,88
Technology TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V —
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) 30 A —
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) 15 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Gate-Emitter Voltage (VGES) +/-20 V —
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V 1.5 V (typical) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 250 W —
Рабочая температура перехода -40C to +175C —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (RC-Drives Fast, co-packaged) —
Корпус PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Switching Speed Class Hard-switching, RC-Drives Fast —
Target Application Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives) —
RoHS Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Drain-to-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 285 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Output Capacitance (Coss) typ — [DATA_NEEDED: Coss value]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 59 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (junction)
Корпус / Типоразмер — PG-VSON-4 (surface mount)
Configuration — Single N-channel, 4 pins (Gate, Drain, Source, Tab)
Статус RoHS — Compliant
Gate ESD Protection — Integrated
Уровень MSL — 1 (per Infineon PG-VSON-4 family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену