IPD80R280P7ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD80R280P7ATMA1 от Infineon и IPC100N04S51R7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 - 800V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R280P7ATMA1 - 800V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R280P7ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD80R280P7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Technology Superjunction (CoolMOS P7) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Корпус PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура перехода -55C to +150C -55 °C to +175 °C
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Статус RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260 °C peak reflow)
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену