IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPL60R060CFD7AUMA1 от Infineon и IPD60R145CFD7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 ✓ АктивенInfineon
IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPL60R060CFD7AUMA1 | IPD60R145CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,03 | $1,05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | CoolMOS CFD7 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 219 W | — |
| R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V | 60 mΩ | — |
| R_DS(on) (typ, datasheet) | 48 mΩ | — |
| Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V | 79 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 3193 pF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 62 pF | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | 4.5 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C to +150 °C | — |
| Корпус | PG-VSON-4-1 (Surface Mount) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | CoolMOS CFD7 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 145 mOhm |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] |
| Body Diode | — | Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) |
| Рабочая температура | — | -55C to +150C (junction) |
| Число выводов | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Target Application | — | ZVS / LLC resonant converters, soft switching |