IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPL60R060CFD7AUMA1 제조: Infineon 및 IPD60R145CFD7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.03 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CFD7 CoolMOS CFD7
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
동작 온도 범위 -40 °C to +150 °C —
패키지 PG-VSON-4-1 (Surface Mount) TO-252AA (DPAK) surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
동작 온도 — -55C to +150C (junction)
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

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