IPL65R070C7AUMA1 vs IPD70R1K4P7SAUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPL65R070C7AUMA1 от Infineon и IPD70R1K4P7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD70R1K4P7SAUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPL65R070C7AUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,68 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
Рабочая температура перехода -55°C to +150°C -55C to +150C
Корпус PG-VSON-4 (surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Part Family — CoolMOS P7 (700V Superjunction)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID — 1.4 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 23 W
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (100% avalanche tested)
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену