IPN60R360P7SATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPN60R360P7SATMA1 от Infineon и BSC019N04LSTATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPN60R360P7SATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,37 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 40 V
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C
Корпус PG-SOT223 (Surface Mount) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
Без галогенов Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
Число выводов 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Уровень MSL — 1 (unlimited)
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену