IPN60R360P7SATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPN60R360P7SATMA1 제조: Infineon 및 BSC019N04LSTATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPN60R360P7SATMA1 BSC019N04LSTATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.37 $1.21
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 40 V
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C
패키지 PG-SOT223 (Surface Mount) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
할로겐 프리 Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
핀 수 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
MSL 레벨 — 1 (unlimited)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청