IPW60R041C6FKSA1 vs IRFP2907PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPW60R041C6FKSA1 от Infineon и IRFP2907PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFP2907PBF IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPW60R041C6FKSA1 IRFP2907PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,40 $2,45
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C —
Корпус PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
Тип монтажа Through Hole —
Уровень MSL Not Applicable (Through-hole) —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену