IR2101STRPBF vs IR2181SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2101STRPBF от Infineon и IR2181SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2101STRPBF IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR2181SPBF IR2181SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2181SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2181SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2101STRPBF IR2181SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,68 $0,72
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent —
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, and 15 V logic
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Корпус 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-pin SOIC (SO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -40 C to +125 C -40C to +125C
Уровень MSL MSL 3 1 (unlimited)
Статус RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High Side + Low Side)
Количество выходов — 2 (independent high-side and low-side)
High-Side Offset Voltage — Up to +600 V
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD/VSS) — 3.3 V to 20 V (logic-level compatible)
Source/Sink Drive Current — 1.9 A source / 2.3 A sink (typical)
Propagation Delay (typ.) — 140 ns (typical)
UVLO — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Negative Transient on VS — Tolerant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену