IRF1010ZPBF vs IRF2907ZSTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF1010ZPBF от Infineon и IRF2907ZSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF - 55V 75A N-Channel MOSFET TO-220AB | Infineon

IRF1010ZPBF - 55V 75A N-Channel MOSFET TO-220AB | Infineon

IRF1010ZPBF ✓ Активен
Infineon
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF - 75V 170A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF2907ZSTRLPBF - 75V 170A N-Ch HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF2907ZSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF1010ZPBF IRF2907ZSTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,36 $1,55
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 75 A (Tc=25C) —
Power Dissipation (Pd) at Tc 140 W (Tc=25C) —
On-Resistance (Rds on) Max [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing) —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC (typ, per Mouser listing) —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Корпус TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole D2PAK (TO-263AB) surface mount
Configuration Single MOSFET —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Тип монтажа Through Hole Surface Mount (SMD)
Qualification JEDEC industry standard qualification —
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rated Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)
Статус RoHS Compliant (PBF = Pb-free) Compliant
Lead Status Lead Free —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Непрерывный ток стока (TC=25°C) — 170 A
Непрерывный ток стока (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Technology — IR HEXFET / IR MOSFET
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену