IRF7313TRPBF vs IRF7342TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7313TRPBF от Infineon и IRF7342TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF - Dual N-Channel 30V 6.5A MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7313TRPBF - Dual N-Channel 30V 6.5A MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7313TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7342TRPBF - 55V Dual P-Channel HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7342TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7313TRPBF IRF7342TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,27 $0,48
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7313TRPBF IRF7342TRPBF
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (Tj)
Корпус 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-SOIC (SO-8), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
Уровень MSL 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену