IRF7469TRPBF vs IRFH5020TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7469TRPBF от Infineon и IRFH5020TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF - 40V N-Ch 9A 17mOhm SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7469TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF - 200V 5.1A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5020TRPBF - 200V 5.1A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5020TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7469TRPBF IRFH5020TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,37 $0,36
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (Tj) -55 °C to +150 °C (TJ max)
Корпус 8-SO (SOIC-8) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (unlimited) 1 (per industry standard for PQFN-8)
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 63 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 55 mΩ
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену