IRF7480MTRPBF vs IAUCN04S7N015GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF7480MTRPBF от Infineon и IAUCN04S7N015GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF - 40V 217A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF7480MTRPBF - 40V 217A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF7480MTRPBF ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF7480MTRPBF IAUCN04S7N015GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,55 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRF7480MTRPBF —
Technology StrongIRFET (N-Channel MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 217 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V to 2.5 V (typical range, datasheet) —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C -55C to +175C
Package Type DirectFET Isometric ME (surface-mount LGA-style) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Уровень MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant Compliant
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH compliance] —
Standard Reel Quantity 4800 pcs (ordered as IRF7480MTRPBF); 1000 pcs on 7-inch reel is IRF7480MTR1PBF —
Series StrongIRFET —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Корпус — PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену