IRFR220NPBF vs IRFR4620TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR220NPBF от Infineon и IRFR4620TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR220NPBF IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR220NPBF IRFR4620TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,74 $1,72
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус / Типоразмер TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (Planar) IR MOSFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Рабочая температура — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену