IRFR220NPBF vs IRFR4620TRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR220NPBF 제조: Infineon 및 IRFR4620TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR220NPBF | IRFR4620TRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.74 | $1.72 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Technology | HEXFET (Planar) | IR MOSFET |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | — |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (Unlimited) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFR4620TRLPBF |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 24 A at Tc |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 78 mOhm max at VGS=10V |
| Gate Charge (Qg) | — | 25 nC typical |
| Power Dissipation (PD) | — | 144 W at Tc |
| 동작 온도 | — | -55C to +175C |
| Lead Free | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | Compliant |