IRFS52N15DPBF vs IRFB52N15DPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFS52N15DPBF от Infineon и IRFB52N15DPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFS52N15DPBF IRFS52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS52N15DPBF ✓ Активен
Infineon
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB52N15DPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFS52N15DPBF IRFB52N15DPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,15 $1,65
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar Cell) HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 204 A
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
RDS(on) max @ VGS=10V 32 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) 60 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 230 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C -55 C to +175 C
Корпус D2PAK (TO-263) Surface Mount —
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Qualification Standard JEDEC Industrial market (per IR/Infineon)
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 51 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 32 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 230 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Package Type — TO-220AB (through-hole)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену