IRLS3034TRLPBF vs BSC027N10NS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLS3034TRLPBF от Infineon и BSC027N10NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLS3034TRLPBF BSC027N10NS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен NRND
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,55 $1,10
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A 194 A
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 108 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Диапазон рабочих температур -40°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Корпус D2PAK (TO-263), Surface Mount PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) OptiMOS 5 (100V)
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену