IS43TR16256AL-107MBLI vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-107MBLI от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IS43TR16256AL-107MBLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,00 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Корпус / Типоразмер | 96-TWBGA (9x13mm) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Корпус | — | FBGA-96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Количество выводов | — | 96 |