IS43TR16256AL-107MBLI vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細な並列比較: IS43TR16256AL-107MBLI メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IS43TR16256AL-107MBLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ブランド | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.00 | $14.32 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| データレート | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| パッケージ / ケース | 96-TWBGA (9x13mm) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| パッケージ | — | FBGA-96 |
| RoHS | — | Compliant |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| ピン数 | — | 96 |