ISC019N08NM7ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC019N08NM7ATMA1 от Infineon и BSC019N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 - 80V 237A 1.9mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC019N08NS5ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC019N08NM7ATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,18 | $1,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 7) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Drain Current (ID), TC=25°C | 209 A | — |
| Drain Current (ID), TA=25°C | 26 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD), TC=25°C | 188 W | — |
| Power Dissipation (PD), TA=25°C | 3 W (6 cm² FR4) | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-43 (SuperSO8) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Без галогенов | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Gate Threshold VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge QG | [DATA_NEEDED: QG] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +150 C |
| Avalanche Rated | — | Yes |