K3LK8K80CM-MFCP vs K3LK4K40CM-BGCP Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K3LK8K80CM-MFCP от Samsung Electronics и K3LK4K40CM-BGCP от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung
K3LK8K80CM-MFCP ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K3LK8K80CM-MFCP | K3LK4K40CM-BGCP |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $37,80 |
| Тип памяти | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | 96 Gb (12 GB) |
| Организация памяти | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | 1536M x 64 |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| Интерфейс | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | LPDDR5 (JEDEC) |
| Корпус | 315-ball FBGA (MFCP) | 496-ball FBGA |
| Ball Count | 315 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -40 C to +105 C (automotive-grade) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| Статус RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Скорость передачи данных | — | 6400 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Scheme | — | Per-bank / all-bank refresh |
| Power-Down Modes | — | Deep sleep / power-down supported |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, computing modules |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |