K3LK8K80CM-MFCP vs K3LK4K40CM-BGCP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3LK8K80CM-MFCP par Samsung Electronics et K3LK4K40CM-BGCP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3LK8K80CM-MFCP | K3LK4K40CM-BGCP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $37,80 |
| Type de mémoire | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | 96 Gb (12 GB) |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | 1536M x 64 |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| Interface | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | LPDDR5 (JEDEC) |
| Boîtier | 315-ball FBGA (MFCP) | 496-ball FBGA |
| Ball Count | 315 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -40 C to +105 C (automotive-grade) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| Statut RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Débit de données | — | 6400 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Scheme | — | Per-bank / all-bank refresh |
| Power-Down Modes | — | Deep sleep / power-down supported |
| Application Segment | — | Mobile, embedded, computing modules |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |