K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $13,78 $6,80
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Напряжение питания 1.2 V (nominal) 1.2 V
Скорость передачи данных 3200 Mbps (PC4-25600) 2400 Mbps
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 8 and 4
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Тип интерфейса SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) Yes
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Тип монтажа Surface Mount (BGA) —
Operating Mode DLL enabled —
Статус RoHS Compliant —
Рабочая температура — 0°C to 85°C
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену